SiC研磨加工－タイセー

タイセーの研磨事業は、サファイア研磨事業で培った技術を更に高精度化しております。

当社の強み

・枚葉式研磨機で1枚からの加工が可能
・揺動式の採用で平坦度が優れている

自社製作研磨機

・4軸揺動式研磨機、スラリー循環式CMP機、生産冶具は自社製作
・増設、故障も迅速に対応

品質面

・平坦度　2.5μm以内（目標）
・面粗度　Ra 1Å以内（0.1ｎｍ）
・仕上げ洗浄(RCA洗浄に準ずる)

研磨対象製品研磨洗浄検査開発計画

SiC Wafer

枚葉加工で1枚からの加工が可能

エピ膜保護テープによる裏面研磨加工等
ニーズに合わせた加工が可能

研磨対象製

ベアウエハの指定面CMP加工
エピウエハの指定面CMP再生加工
プロセスウエハの裏面加工
＊指定面：Si面・C面

サイズ：1.5インチφ、2インチφ
3インチφ 4インチφ
6インチφ
1枚から受託可能

ウエハ研磨、研削

・エピ再生研磨
・ベア基板研磨
・研削、ダイヤスラリー研磨、CMP研磨
・除去量
　ベアウエハCMP：基板最小厚部より10μm以内
　再生ウエハCMP：指定厚み±5μm以内
・面粗さ
　Si面＝＜0.1nm
　C面＝＜0.2nm
・TTV
　＜5μm以内(2.5μm以下目標)

・加工厚：状況により対応